臺積電近日在五月技術(shù)論壇公布了未來五年內(nèi)，包括2納米與A14在內(nèi)的先進(jìn)制程節(jié)點(diǎn)擴(kuò)產(chǎn)規(guī)劃。

新竹寶山F20廠與高雄F22廠將作為2納米量產(chǎn)重點(diǎn)據(jù)點(diǎn)，預(yù)計(jì)2025年陸續(xù)投產(chǎn)，月產(chǎn)能合計(jì)可達(dá)4.5萬至5萬片，預(yù)期至2026年突破10萬片大關(guān)。而A14制程，目標(biāo)落腳于臺中F25廠，預(yù)計(jì)2025年底開工，2028年下半年試量產(chǎn)，初期月產(chǎn)能規(guī)劃約5萬片。

此外，預(yù)計(jì)2030年下半年量產(chǎn)的下一代先進(jìn)制程A10節(jié)點(diǎn)的工廠選址，最新傳聞指向了臺灣省早年因農(nóng)業(yè)用地變更未獲通過而錯失機(jī)會的云林縣“云林虎尾園區(qū)”，該地區(qū)目前已加速完成環(huán)評與土地變更作業(yè)，力求借助臺積電投資重振地方經(jīng)濟(jì)，復(fù)制高雄與嘉義雙廠帶來的產(chǎn)業(yè)聚落效應(yīng)。

A16，A14和A10是臺積電繼2nm制程工藝后的下一代晶體管技術(shù)，1A（??）=0.1nm，A16即1.6nm，采用超級電軌技術(shù)（Super Power Rail，SPR），將供電線路移到晶圓背面，以在晶圓正面釋放出更多訊號線路布局空間，來提升邏輯密度和效能。SPR也能大幅度降低IR drop，進(jìn)而提升供電效率，并提供與傳統(tǒng)正面供電下相同的閘極密度（Gate Density）、布局版框尺寸（Layout Footprint）和組件寬度調(diào)節(jié)的彈性。

在先進(jìn)封裝方面，臺積電已在嘉義設(shè)立AP7廠區(qū)，規(guī)劃八條生產(chǎn)線，其中P1專供蘋果WMCM封裝，P2、P3以SoIC封裝為主；南科舊廠改建的AP8則主打CoWoS技術(shù)，預(yù)計(jì)2028年開始動工，2029年上半年投產(chǎn)CoPoS封裝線。

目前，臺積電持續(xù)加大對外投資力度，美國F21廠P1以4納米、P2以3納米為主，后續(xù)將升級至2納米；日本熊本二廠與德國廠也已有規(guī)劃，但最主要的未來先進(jìn)制程依然都規(guī)劃在臺灣省內(nèi)。