據(jù)韓媒ZDNet Korea報(bào)道，三星電子正為其下一代移動(dòng)處理器Exynos 2600引入HPB,技術(shù)，并搭配升級(jí)版FOWLP工藝，以應(yīng)對(duì)嚴(yán)重的高性能芯片發(fā)熱問(wèn)題。

這項(xiàng)技術(shù)預(yù)計(jì)將在今年底前完成品質(zhì)驗(yàn)證，最快明年上半年搭載于Galaxy S26系列中量產(chǎn)商用。HPB的全稱為Heat Path Block，據(jù)稱為一種超小型銅基高導(dǎo)熱材料，可與LPDDR DRAM內(nèi)存一道作為封裝的一部分集成在處理器芯片的上方，與芯片頂部或側(cè)面相接觸，用于迅速將核心區(qū)域產(chǎn)生的熱量向外傳導(dǎo)。

這種模塊與DRAM等組件一體封裝不僅提升了熱擴(kuò)散效率，還能控制封裝厚度和重量，對(duì)智能手機(jī)內(nèi)部空間極其有限的散熱系統(tǒng)來(lái)說(shuō)，是一種高度集成化的解決方案。

同時(shí)，為進(jìn)一步提升散熱效率，Exynos 2600將采用升級(jí)版的FOWLP工藝。這種封裝方式通過(guò)將I/O接口直接置于硅片之外，在不使用基板的情況下實(shí)現(xiàn)更高的散熱效率和更緊湊的結(jié)構(gòu)。

三星已經(jīng)在Exynos 2400中使用過(guò)FOWLP，但HPB+FOWLP的組合還是首次出現(xiàn)。

此前有消息稱，由于1.4nm以下工藝節(jié)點(diǎn)的推進(jìn)進(jìn)度不及預(yù)期，三星Exynos 2600將繼續(xù)基于2nm工藝打造。因此，在后道工藝（如封裝與散熱）上的創(chuàng)新，就成為了彌補(bǔ)制程瓶頸、提升SoC綜合性能的重要手段。