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有望超越臺(tái)積電2nm 英特爾正與蘋果、英偉達(dá)等大客戶測試14A工藝

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近日,來自GF Securities的知名半導(dǎo)體分析師Jeff Pu在最新研究報(bào)告中透露,英特爾已經(jīng)向包括蘋果和英偉達(dá)在內(nèi)的多家潛在大客戶提供了其下一代14A工藝設(shè)計(jì)套件,并正在與這些客戶緊密合作,開展測試與試制芯片工作,以加速 14A 工藝的研發(fā)與量產(chǎn)準(zhǔn)備。

Jeff Pu稱,14A工藝將整合第二代RibbonFET柵極和PowerDirect供電技術(shù),這些技術(shù)均建立在此前18A工藝引入的PowerVia架構(gòu)之上,旨在提供更卓越的性能與能效比。

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英特爾14A的A指?ngstrom,1?等于0.1nm,14A即1.4nm,不過工藝命名和實(shí)際性能表現(xiàn)無關(guān),例如英特爾18A工藝在命名上看起來比臺(tái)積電2nm的N2工藝更加先進(jìn),但預(yù)期性能應(yīng)在臺(tái)積電N3和N2之間。

英特爾新任CEO譚立亨今年4月上任后,已開始對(duì)公司前沿制程路線進(jìn)行大刀闊斧的調(diào)整。根據(jù)其在第二季度財(cái)報(bào)中的說明,英特爾將“從零開始,與大型外部客戶攜手開發(fā)14A工藝”,并將未來的資本支出與客戶確認(rèn)的訂單緊密掛鉤,若無法獲得足夠的大客戶承諾,不排除暫停甚至放棄該工藝的投資與開發(fā)計(jì)劃,凸顯了英特爾重振晶圓代工業(yè)務(wù)、重返尖端制程領(lǐng)域的緊迫感。

原創(chuàng)文章,作者:HyperZ-Ton,如若轉(zhuǎn)載,請注明出處:http://www.fangsai.com.cn/doc/134906.htm

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