近日，臺(tái)積電在2025年北美技術(shù)研討會(huì)上透露，公司有望在今年下半年開始量產(chǎn)N2芯片。

這將是臺(tái)積電首個(gè)依賴于全環(huán)繞柵極（GAA）納米片晶體管的生產(chǎn)技術(shù)。

根據(jù)當(dāng)前已知的信息，N2（即2nm工藝制程）作為臺(tái)積電的全新工藝技術(shù)，將提供全節(jié)點(diǎn)性能和功耗優(yōu)勢(shì)，在相同功耗下速度提升10%-15%，或在相同速度下功耗提升20%-30%。

這意味著，N2與目前量產(chǎn)的N3相比，性能可以提高10%-15%，功耗能降低25%-30%。

同時(shí)，臺(tái)積電表示N2的晶體管性能接近目標(biāo)，256Mb SRAM模塊的平均良率也超過90%，隨著N2走向量產(chǎn)，工藝成熟度將處于較高水平。

最后，臺(tái)積電還表示，N2及其衍生產(chǎn)品將進(jìn)一步鞏固他們的技術(shù)領(lǐng)先地位，使臺(tái)積電能夠更好地把握未來增長(zhǎng)機(jī)遇。