近日，根據韓媒ETNews的消息，三星電子AVP先進封裝部門正在開發(fā)面向AI半導體芯片的“3.3D”先進封裝技術。

根據目前放出的消息，這一封裝技術將GPU垂直堆疊在LCC（即SRAM緩存）上，兩部分鍵合為一體，類似于三星電子現(xiàn)有X-Cube 3D IC封裝技術。

而在GPU+LCC緩存整體與HBM的互聯(lián)中，3.3D封裝技術將GPU+LCC和HBM位于銅RDL重布線中介層上，用硅橋芯片實現(xiàn)裸晶之間的直接連接，而銅RDL 重布線層又位于載板上方。

根據三星方面消息，該設計能夠在不犧牲芯片設計的前提下，相較完全使用硅中介層的方案，降低22%的生產成本。

該技術有望在2026年第二季度實現(xiàn)量產。