根據(jù)海外媒體Sammobile消息，三星計劃在6月于美國召開的2024年晶圓代工論壇上，正式公布其1nm制程工藝計劃。

據(jù)悉，該計劃將1nm的量產(chǎn)時間從原本的2027年提前到了2026年。

按照這一時間規(guī)劃，如果一切順利，那么在1nm工藝問世前，三星將首先在2025年實現(xiàn)2nm“SF2”工藝的量產(chǎn)。

三星加速1nm工藝的信心，來自于“Gate-All-Around（GAA）”電流控制技術(shù)，該技術(shù)能顯著降低晶體管的漏電流，提升芯片功率效率。

值得一提的是，臺積電方面也在積極布局1nm工藝相關(guān)的技術(shù)。

據(jù)悉，臺積電計劃在2027年達到1.6nm的“A16節(jié)點”，并在2027到2028年左右，實現(xiàn)1.4nm工藝的量產(chǎn)。

如果三星計劃2026年量產(chǎn)1nm的消息屬實，那么或許將在一定程度上影響臺積電的工藝發(fā)展計劃。