日前，臺積電公布2023財年年報，其中包含了先進制程、先進封裝等在內(nèi)的先進工藝技術(shù)的進展。

根據(jù)年報信息，在3nm制程中，N3E已經(jīng)在2023年第四季度實現(xiàn)量產(chǎn)，N3P則有望在2024年下半年實現(xiàn)量產(chǎn)。

而針對HPC應(yīng)用的N3X，則預(yù)計在2024年接獲客戶投片。

其他方面，2nm制程的N2，預(yù)計將在2025年實現(xiàn)量產(chǎn)。

而在先進封裝方面，臺積電已于去年完成5nm芯片同5nm晶圓的SoIC CoW堆疊技術(shù)驗證，進入量產(chǎn)階段。

而采用重布線層的CoWoS-R技術(shù)、整合多個同質(zhì)芯片的InFO_oS（整合型扇出暨封裝基板）、面向可穿戴設(shè)備的InFO_M_PoP（多芯片整合型扇出封裝），也均已在去年成功量產(chǎn)。