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三星否認(rèn)使用SK海力士技術(shù)制造高級芯片

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近日,有報(bào)道稱三星電子將使用競爭對手SK海力士的技術(shù)來制造用于包括人工智能在內(nèi)的各種應(yīng)用的高帶寬內(nèi)存(HBM)芯片,這一舉措被認(rèn)為是為了提高HBM芯片的產(chǎn)量。

不過目前,三星否認(rèn)了這一說法,堅(jiān)稱將繼續(xù)使用三星自己的非導(dǎo)電膜(NCF)方法來制造HBM芯片。

三星的HBM芯片采用非導(dǎo)電膜方法,通過堆疊芯片層來制造。這種方法適用于層數(shù)較少的芯片,但在層數(shù)較多的芯片中會出現(xiàn)問題,導(dǎo)致產(chǎn)量降低。據(jù)稱,這是三星在HBM領(lǐng)域落后于主要AI芯片制造商如英偉達(dá)的原因之一。

與此同時(shí),SK海力士采用的大規(guī)模回流模塑填充工藝似乎沒有同樣的缺陷,并提供了60-70%的產(chǎn)量。這使得SK海力士在市場上占據(jù)了主導(dǎo)地位,并最近與英偉達(dá)簽訂了供應(yīng)HBM芯片的協(xié)議。

對于外界的傳言,三星發(fā)言人明確表示:“關(guān)于三星電子將應(yīng)用MR-MUF于其HBM生產(chǎn)的傳言不屬實(shí)?!卑l(fā)言人還駁斥了有關(guān)產(chǎn)量低的報(bào)道,稱三星一直保持著其HBM芯片的穩(wěn)定產(chǎn)量率。

目前,三星電子的管理團(tuán)隊(duì)在逐漸年輕化,以更好地應(yīng)對當(dāng)前的挑戰(zhàn)。

根據(jù)三星電子2023年的業(yè)務(wù)報(bào)告分析,公司去年有1,163名注冊和非注冊的高管,盡管大多數(shù)高層仍然是50多歲的男性,但年輕化的變化已經(jīng)顯現(xiàn)。

例如,三星電子最年輕的高管是1985年出生的Bae Bum-hee,目前擔(dān)任三星移動部門的董事總經(jīng)理。隨著更多80后加入高管團(tuán)隊(duì),三星正為今年的商業(yè)挑戰(zhàn)做好準(zhǔn)備。此外,三星在其管理團(tuán)隊(duì)中女性高管的數(shù)量也有了顯著增加,進(jìn)一步凸顯了公司認(rèn)為高層管理的多元化對于業(yè)務(wù)持續(xù)成功至關(guān)重要。

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