三星在本周三宣布已開始為智能手機大量生產(chǎn)3GB的低耗能LPDDR3內(nèi)存卡，并透漏將于下半年開始投入手機生產(chǎn)。
早前消息說三星將在新一代旗艦機Galaxy Note 3上配置這款內(nèi)存卡。而這次的新聞也是為這一說法適時的添磚加瓦了。更不用說，LG G2對于這個3G的RAM也是虎視眈眈。
但是，不得不說，好馬得配好鞍，也只有Galaxy Note 3以及LG G2這樣高性能的手機能裝載和負擔這款低耗能的RAM。
為了能更好的利用電源，這款內(nèi)存卡大大提高了運行速度，并提供完全的LTE-A技術支持，從而讓設備供應商制造更小巧的設備來為其他部件以及電池容量的提高提供空間。
據(jù)悉，它的內(nèi)部結構采用了雙對稱結構，并且只有0.8毫米。這個設計為手機輕薄與電池容量的提升提供了更大的空間。

三星下一步的計劃是在進一步提高3GB內(nèi)存的表現(xiàn)力。我們現(xiàn)在也不能肯定的說Galaxy note 3和LG G2是否會采用這款內(nèi)存卡，三星只是在發(fā)布會上說：“我們將在擁有世界最高性能的智能手機上使用這款內(nèi)存卡。”這意味著將有一大批手機制造商都有望采用這款內(nèi)存卡。

來源https://www.androidauthority.com/samsung-3gb-mobile-ram-galaxy-note-3-lg-g2-248480/